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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | SD56120 | 511-SD56120新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,213.9864 5：¥1,184.7892 10：¥1,155.36 25：¥1,139.2012 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | T2G6000528-Q3 | 772-T2G6000528-Q3新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6GHz 28V P3dB 10W @3.3GHz | 数据表 | 157 有库存 | 1：¥609.7656 25：¥516.0956 100：¥436.8444 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV14250F | 941-CGHV14250F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥2,789.6492 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR843EL3E6327XTSA1 | 726-BFR843EL3E6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 14690 有库存 | 1：¥4.6284 10：¥3.828 100：¥2.3316 1,000：¥1.798 2,500：¥1.5428 10,000：¥1.4384 15,000：¥1.4384 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TPV595A | 974-TPV595A新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,531.0724 10：¥1,404.9456 25：¥1,260.8504 50：¥1,116.7552 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF1511NT1 | 841-MRF1511NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N | 数据表 | 1477 有库存 | 1：¥82.6616 10：¥75.9916 25：¥72.6508 100：¥64.2408 250：¥57.3388 500：¥55.4364 1,000：¥50.8892 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | SD57045 | 511-SD57045新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥608.1648 2：¥593.9896 5：¥581.4732 10：¥572.1468 25：¥536.1172 50：¥518.2184 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLX13C | 974-BLX13C新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥591.5536 10：¥492.9652 25：¥443.6652 50：¥394.3768 100：¥354.9368 200：¥276.0568 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD2730 | 772-QPD2730新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN | 数据表 | 26 有库存 | 1：¥1,255.5492 25：¥1,095.7476 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | UF28150J | 937-UF28150J新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,043.0036 10：¥2,011.3008 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF177 | 937-MRF177新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB | 数据表 | 22 有库存 | 1：¥500.9228 10：¥471.424 25：¥456.634 50：¥441.9252 100：¥421.3004 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | RFM08U9X(TE12L,Q) | 757-RFM08U9XTE12LQ新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V | 数据表 | 无库存 | 1：¥56.8864 10：¥51.272 25：¥46.7132 100：¥42.166 250：¥38.7556 500：¥35.264 1,000：¥30.7864 2,000：¥29.6496 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 0912-7 | 494-0912-7新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,099.9932 2：¥1,073.522 5：¥1,057.8272 10：¥1,042.8864 25：¥1,028.5488 50：¥958.0208 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2941 | 772-TGF2941新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN | 数据表 | 无库存 | 50：¥179.974 100：¥159.036 250：¥147.8884 500：¥137.576 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PD57002-E | 511-PD57002-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥80.4692 10：¥73.95 25：¥70.9108 100：¥62.4892 250：¥59.3804 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 275X2-102N06A-00 | 747-275X2-102N06A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275X2 1000V 6A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 71 有库存 | 1：¥222.3604 5：¥215.7716 10：¥202.188 25：¥187.0268 50：¥183.3844 100：¥171.854 250：¥156.4608 500：¥146.6008 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFV141KHSR5 | 841-AFV141KHSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHz, 1000 W PEAK, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,746.8708 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| VRF141G | 494-VRF141G新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 3 有库存 | 1：¥889.9172 2：¥862.3092 5：¥862.0772 10：¥834.2488 25：¥802.8476 50：¥791.932 100：¥725.4176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFG410W,115 | 771-BFG410W-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 TAPE-7 TNS-RFSS | 数据表 | 2811 有库存 | 1：¥2.6564 10：¥2.0184 100：¥1.09156 1,000：¥0.81896 3,000：¥0.70528 9,000：¥0.66004 24,000：¥0.60668 45,000：¥0.58348 99,000：¥0.56144 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5600HSR5 | 841-MRFE6VP5600HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230HS | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,284.7464 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | PD55015-E | 511-PD55015-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 287 有库存 | 1：¥154.8716 5：¥153.2708 10：¥142.8888 25：¥136.4392 100：¥122.032 250：¥116.4176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1210,115 | 771-BF1210115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.8488 10：¥4.002 100：¥2.5752 1,000：¥2.0648 3,000：¥1.74 9,000：¥1.682 24,000：¥1.6124 45,000：¥1.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP420H6327XTSA1 | 726-BFP420H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3308 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.6216 100：¥1.5892 1,000：¥1.2412 3,000：¥1.05444 9,000：¥0.97788 24,000：¥0.93264 48,000：¥0.9106 99,000：¥0.87232 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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