24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AGR21180EF | 974-AGR21180EF 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 38Watt Gain 14dB | 无库存 | 10：¥862.692 30：¥764.092 50：¥690.1536 100：¥665.5036 | 最低： 10 倍数： 10 |  详细信息 | ||
 | BF909WR,115 | 771-BF909WR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3756 100：¥2.0532 1,000：¥1.5892 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2644 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BFR93AE6327HTSA1 | 726-BFR93AE6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 575 有库存 | 1：¥2.8768 10：¥2.1808 100：¥1.1832 1,000：¥0.8874 3,000：¥0.7656 9,000：¥0.7134 24,000：¥0.66004 48,000：¥0.62988 99,000：¥0.60668 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| CGHV60170D | 941-CGHV60170D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | QPD1004SR | 772-QPD1004SR新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-1.2GHz 25W 50V GaN | 数据表 | 118 有库存 | 1：¥607.4804 25：¥536.8016 100：¥474.3124 200：¥445.8692 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 1214-110M | 494-1214-110M新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10：¥3,170.6048 | 最低： 10 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PXAC192908FVV1R250XTMA1 | 726-PXAC192908FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥806.0376 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | BF904WR,135 | 771-BF904WR135新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW | 数据表 | 无库存 | 最低： 10000 倍数： 10000 | 详细信息 | ||
 | BLW77 | 974-BLW77新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥659.8196 10：¥549.8516 25：¥494.856 50：¥439.872 100：¥395.8848 200：¥307.9104 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| BFR340L3E6327XTMA1 | 726-BFR340L3E6327XTM新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | ||
 | SD57030-01 | 511-SD57030-01新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp | 数据表 | 无库存 | 50：¥392.4744 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | RFM04U6P(TE12L,F) | 757-RFM04U6PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V | 数据表 | 590 有库存 | 1：¥23.2812 10：¥18.8036 100：¥15.022 500：¥13.2008 1,000：¥10.9156 2,000：¥10.1616 5,000：¥9.7788 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| PH3135-90S | 937-PH3135-90S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 3.1-3.5GHz 90W 2us Pulse | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥2,728.146 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFR840L3RHESDE6327XTSA1 | 726-BFR840L3RHESDE63新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 2047 有库存 | 1：¥4.6284 10：¥3.828 100：¥2.3316 1,000：¥1.798 2,500：¥1.5428 10,000：¥1.4384 15,000：¥1.3572 45,000：¥1.3224 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | A2V09H400-04NR3 | 841-A2V09H400-04NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 107 W Avg., 48 V | 数据表 | 218 有库存 | 1：¥947.8592 5：¥929.508 10：¥898.7912 25：¥860.7896 50：¥848.9576 100：¥789.5772 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| CE3514M4 | 551-CE3514M4新产品 | CEL | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C | 数据表 | 290 有库存 | 1：¥9.0248 10：¥6.8904 100：¥5.0112 500：¥4.2572 1,000：¥3.5032 2,500：¥3.248 10,000：¥3.132 25,000：¥3.0972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| 55GN01FA-TL-H | 863-55GN01FA-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 70MA 10V FT=5.5 | 数据表 | 无库存 | 16,000：¥0.493 24,000：¥0.46284 48,000：¥0.40948 96,000：¥0.3944 | 最低： 16000 倍数： 8000 | 详细信息 | |
| MMRF1310HR5 | 841-MMRF1310HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥844.1088 5：¥827.6484 10：¥800.3536 25：¥766.528 50：¥755.9836 100：¥703.1224 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MAPR-002729-170M00 | 937-MAPR002729170M00新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain8.5dB 170W VSWR: 2.1 | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥3,600.0136 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| JTDB75 | 494-JTDB75新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥1,809.1012 50：¥1,685.0276 | 最低： 25 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MMRF1013HSR5 | 841-MMRF1013HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,580.7912 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
| PTFB213208FVV1R250XTMA1 | 726-PTFB213208FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥996.4748 | 最低： 250 倍数： 250 | ||
 | VRF152 | 494-VRF152新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 6 有库存 | 1：¥558.6444 2：¥547.6476 5：¥541.6504 10：¥524.668 25：¥505.2496 50：¥498.5796 100：¥455.7292 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD57006STR-E | 511-PD57006STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor N Chnl | 数据表 | 600 有库存 | 1：¥122.786 10：¥112.926 25：¥108.228 100：¥95.3288 250：¥90.6308 600：¥84.7844 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| 暂时还没有产品... | ||||||||||
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
