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2018-05-05 - 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
2018-05-05 - 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS Transistor 750 W
2018-05-05 - 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
2018-05-05 - 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz
2018-05-05 - 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
2018-05-05 - 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
2018-05-05 - 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz
2018-05-05 - 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz
2018-05-05 - 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1800W - 27MHz
2018-05-05 - 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
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