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APTGT50H60T1G
图像仅供参考
请参阅产品规格
樊伊零件编号:
APTGT50H60T1G
制造商零件编号:
494-APTGT50H60T1G
制造商:
Microsemi
说明:
IGBT 模块 Power Module - IGBT
寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表品。
0
规格
产品已找到。
要显示类似产品,至少选中一个复选框
产品属性
属性值
搜索类似
制造商:
Microsemi
产品种类:
IGBT 模块
RoHS:
详细信息
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
176 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microsemi
安装风格
Screw
栅极/发射极最大电压
+/- 20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
产品已找到。
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实时供货
库存:
无库存
工厂交货期:
44 周
输入数量:
最少: 100
倍数:1
选择下面的包装选项
单价(含17%增值税)
100:
¥404.2368
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