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A2C35S12M3
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请参阅产品规格
樊伊零件编号:
A2C35S12M3
制造商零件编号:
511-A2C35S12M3
制造商:
STMicroelectronics
说明:
IGBT 模块
寿命周期:
新产品:
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属性值
搜索类似
制造商:
STMicroelectronics
产品种类:
IGBT 模块
RoHS:
详细信息
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Converter Inverter Brake
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
35 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
250 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
子类别
IGBTs
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