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BSM50GD120DN2E3226
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请参阅产品规格
樊伊零件编号:
BSM50GD120DN2E3226
制造商零件编号:
641-BSM50GD120DN2E32
制造商:
Infineon Technologies
说明:
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
数据表品。
0
规格
产品已找到。
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产品属性
属性值
搜索类似
制造商:
Infineon Technologies
产品种类:
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45.5 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Screw
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 SP000100366
产品已找到。
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实时供货
库存:
无库存
工厂交货期:
42 周
输入数量:
最少: 1
倍数:1
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