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APT150GN120J
图像仅供参考
请参阅产品规格
樊伊零件编号:
APT150GN120J
制造商零件编号:
494-APT150GN120J
制造商:
Microsemi
说明:
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
寿命周期:
新产品:
此制造商的新产品。
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0
规格
产品已找到。
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属性值
搜索类似
制造商:
Microsemi
产品种类:
IGBT 模块
RoHS:
详细信息
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
215 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
625 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microsemi
安装风格
Screw
栅极/发射极最大电压
+/- 30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
ISOTOP
单位重量
30 g
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库存:
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工厂交货期:
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