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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFB193404FV1R250XTMA1 | 726-PTFB193404FV1R25 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,004.9832 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 |
 | PH1090-550S | 937-PH1090-550S新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,611.6145 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFU550AVL | 771-BFU550AVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6738 10：¥2.3751 100：¥1.0179 1,000：¥0.78039 2,500：¥0.5967 10,000：¥0.52767 25,000：¥0.49725 50,000：¥0.44343 100,000：¥0.42822 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH55015F2 | 941-CGH55015F2新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt | 数据表 | 44 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFP 720 H6327 | 726-BFP720H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3769 有库存 | 1：¥4.0599 10：¥3.3345 100：¥2.0358 1,000：¥1.5795 3,000：¥1.3455 9,000：¥1.2519 24,000：¥1.1817 45,000：¥1.15479 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF1510 | 494-ARF1510新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥1,522.3221 2：¥1,485.6777 5：¥1,463.9508 10：¥1,443.2184 25：¥1,423.4922 50：¥1,325.8791 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF5017HSR5 | 771-MMRF5017HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 50V GaN on Sic 90W CW 3MHz-1GHz | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | BF861C,215 | 771-BF861C-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10mA | 数据表 | 2845 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | MRFE6VP6300HR5 | 841-MRFE6VP6300HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 | 数据表 | 无库存 | 1：¥740.3175 5：¥725.9382 10：¥701.9883 25：¥672.2352 50：¥663.0507 100：¥616.6251 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T1G4004532-FS | 772-T1G4004532-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB | 数据表 | 42 有库存 | 1：¥1,682.8812 25：¥1,518.8004 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1214-30 | 494-1214-30新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 9 有库存 | 1：¥2,004.8418 2：¥1,956.6612 5：¥1,928.043 10：¥1,900.7352 25：¥1,874.6559 50：¥1,746.1431 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFC210202FCV1XWSA1 | 726-PTFC210202FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | HFA3127RZ96 | 968-HFA3127RZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3 | 数据表 | 无库存 | 6,000：¥31.0518 | 最低： 6000 倍数： 6000 | 详细信息 |
 | STAC2942BW | 511-STAC2942BW新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch | 数据表 | 无库存 | 80：¥829.1205 | 最低： 80 倍数： 80 | 详细信息 |
 | PD85025S-E | 511-PD85025S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥219.0825 5：¥216.8595 10：¥202.0941 25：¥192.9915 100：¥172.575 250：¥164.619 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | DU1260T | 937-DU1260T新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,341.3348 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | RFM00U7U(TE85L,F) | 757-RFM00U7UTE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V | 数据表 | 无库存 | 1：¥10.179 10：¥8.19 100：¥6.2595 500：¥5.5341 1,000：¥4.3641 3,000：¥3.8727 9,000：¥3.7206 24,000：¥3.6153 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA041501EV4R0XTMA1 | 726-PTFA041501EV4R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 无库存 | 50：¥790.2648 100：¥735.8832 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 | |
 | 0912-45 | 494-0912-45新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,113.6879 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BAR8602LRHE6327XTSA1 | 726-602LRHE6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
 | MRF8VP13350NR3 | 841-MRF8VP13350NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,472.8311 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFY420 (P) | 726-BFY420P新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HiRel NPN Silicon RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PTFA220041MV4R1KXUMA1 | 726-PTFA220041MV4R1K新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 1,000：¥46.5894 2,000：¥44.8227 | 最低： 1000 倍数： 1000 | 详细信息 | |
 | BF1206F,115 | 771-BF1206F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW | 数据表 | 无库存 | 4,000：¥1.872 8,000：¥1.8018 24,000：¥1.7199 48,000：¥1.6965 | 最低： 4000 倍数： 4000 | 详细信息 |
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