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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTRA093302FCV1R0XTMA1 | 726-PTRA093302FCV1R0 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥700.466 100：¥652.2332 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | CGHV1J025D-GP4 | 941-CGHV1J025D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PTVA035002EVV1R0XTMA1 | 726-PTVA035002EVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,841.8712 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF1518NT1 | 841-MRF1518NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N | 数据表 | 1107 有库存 | 1：¥81.9888 10：¥75.3884 25：¥72.0476 100：¥63.7072 250：¥56.8864 500：¥54.984 1,000：¥50.4368 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | AFV141KHR5 | 841-AFV141KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHz, 1000 W PEAK, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,746.8708 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MRFE6VP100HR5 | 841-MRFE6VP100HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 100W 50V ISM | 数据表 | 298 有库存 | 1：¥682.1148 5：¥668.914 10：¥646.7696 25：¥619.3936 50：¥610.9024 100：¥568.2028 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT05MS006NT1 | 841-AFT05MS006NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V | 数据表 | 1014 有库存 | 1：¥32.0044 10：¥29.348 25：¥26.6916 100：¥23.9656 250：¥21.9936 500：¥20.0216 1,000：¥17.98 2,000：¥17.5972 5,000：¥16.6808 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | HFA3127RZ | 968-HFA3127RZ新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16LD 3X3 | 数据表 | 173 有库存 | 1：¥60.9812 10：¥55.1348 50：¥52.5596 100：¥45.6576 200：¥43.6044 500：¥39.7416 1,000：¥34.6608 2,500：¥33.3732 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STAC2943 | 511-STAC2943新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 150MHz FET | 数据表 | 48 有库存 | 1：¥813.0092 5：¥798.1496 10：¥762.2012 25：¥736.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA220081M V4-T | 726-PTF-A220081MV4T新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 数据表 | 无库存 | 500：¥61.5844 1,000：¥56.5036 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| PTFA072401FLV5R0XTMA1 | 726-PTFA072401FLV5R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥765.7624 100：¥712.9824 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | NPTB00025B | 937-NPTB00025B新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4.0GHz 25W Gain 13.5dB GaN HEMT | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,334.5684 10：¥1,285.1988 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFT31150NR5 | 771-AFT31150NR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W 2700-3100MHz | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥1,546.164 5：¥1,511.654 10：¥1,480.7168 25：¥1,458.874 50：¥1,405.862 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF422 | 974-MRF422新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥637.0604 10：¥621.8992 25：¥606.7264 50：¥576.3924 100：¥546.0584 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6VS25NR1 | 841-MRFE6VS25NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2 | 数据表 | 1208 有库存 | 1：¥264.538 5：¥252.8568 10：¥243.9828 25：¥212.8832 100：¥208.336 250：¥199.6128 500：¥183.686 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| AFT26H160-4S4R3 | 841-AFT26H160-4S4R3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF7 2.6GHZ NI880X-4L4S | 数据表 | 无库存 | 250：¥695.1532 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| BLF2425M9LS140U | 771-BLF2425M9LS140U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS transistor | 无库存 | 60：¥907.816 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 | |
 | BFP 650 H6327 | 726-BFP650H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 964 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.9696 100：¥1.8096 1,000：¥1.4036 3,000：¥1.1948 9,000：¥1.11476 24,000：¥1.05444 45,000：¥1.03124 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD57120 | 511-SD57120新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 14 Amp | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,174.7784 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | BFR 181 E6327 | 726-BFR181E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 8935 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.2156 100：¥1.01616 1,000：¥0.78068 3,000：¥0.667 9,000：¥0.60668 24,000：¥0.5684 48,000：¥0.50808 99,000：¥0.493 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 3SK292(TE85R,F) | 757-3SK292TE85RF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 | 数据表 | 2913 有库存 | 1：¥4.2456 10：¥3.1552 100：¥1.9836 1,000：¥1.4848 3,000：¥1.2644 9,000：¥1.1832 24,000：¥1.12288 45,000：¥1.09156 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MCH4014-TL-H | 863-MCH4014-TL-H新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.5752 100：¥1.5892 1,000：¥1.218 3,000：¥1.0614 9,000：¥0.986 24,000：¥0.9106 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFC261402FCV1R0XTMA1 | 726-PTFC261402FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥589.4308 100：¥548.8656 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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