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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PD20015C | 511-PD20015C 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family | 数据表 | 无库存 | 1：¥474.9156 5：¥464.2204 10：¥446.1012 25：¥431.7636 100：¥400.1304 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | PD84008-E | 511-PD84008-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 数据表 | 无库存 | 400：¥87.9744 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | BFU590QX | 771-BFU590QX新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 5545 有库存 | 1：¥6.902 10：¥5.6956 100：¥3.6656 1,000：¥2.9464 2,000：¥2.4824 10,000：¥2.3896 25,000：¥2.2968 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA042502FCV1R0XTMA1 | 726-PTVA042502FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,052.5144 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | CG2H80060D-GP4 | 941-CG2H80060D-GP4新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| MRF154 | 974-MRF154新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥3,792.04 10：¥3,678.2788 25：¥3,617.6108 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MMRF1004GNR1 | 841-MMRF1004GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥157.4468 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| MMRF1005HR5 | 841-MMRF1005HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1300 MHz 250 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥2,189.9756 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BLW50F | 974-BLW50F新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥741.3444 10：¥680.2936 25：¥610.5196 50：¥540.7456 100：¥488.418 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| TAN250A | 494-TAN250A新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥2,320.9512 2：¥2,265.132 5：¥2,231.9212 10：¥2,200.3692 25：¥2,170.186 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| AGR21045EF | 974-AGR21045EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 10Watt Gain 14.5dB | 无库存 | 1：¥451.2516 5：¥414.0852 10：¥371.6176 25：¥329.15 50：¥297.2964 100：¥286.6824 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | CGHV96100F2 | 941-CGHV96100F2新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| ARF468BG | 494-ARF468BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 50 有库存 | 1：¥367.9056 2：¥357.8948 5：¥347.9536 10：¥338.024 25：¥314.128 50：¥306.472 100：¥292.8188 250：¥267.6468 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| NESG260234-EV09 | 551-NESG260234-EV09新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon Medium Pwr Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥948.01 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MMBT918 | 512-MMBT918新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor | 数据表 | 3324 有库存 | 1：¥1.8908 10：¥1.2644 100：¥0.52316 1,000：¥0.35612 3,000：¥0.28072 9,000：¥0.24244 24,000：¥0.22736 45,000：¥0.21228 99,000：¥0.18212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BLF245 | 974-BLF245新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 2 有库存 | 1：¥546.0584 10：¥455.0448 25：¥409.538 50：¥364.0312 100：¥327.6304 200：¥313.374 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC201202FCV2R0XTMA1 | 726-PXAC201202FCV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥483.488 100：¥448.0732 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF448 | 937-MRF448新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 250Watts 50Volt Gain 12dB | 数据表 | 156 有库存 | 1：¥711.0104 10：¥694.782 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 375-102N12A-00 | 747-375-102N12A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-375-102N12A 12A 1000V N Channel MOSFET | 数据表 | 34 有库存 | 1：¥231.0836 5：¥224.1816 10：¥210.1572 25：¥194.3812 50：¥190.588 100：¥178.6052 250：¥162.5972 500：¥152.366 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| TPR700 | 494-TPR700新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 25：¥2,600.0472 | 最低： 25 倍数： 1 | |
| PTFB091802FCV1R250XTMA1 | 726-FB091802FCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥438.7352 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BF904WR,115 | 771-BF904WR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.8628 10：¥3.2132 100：¥1.9604 1,000：¥1.508 3,000：¥1.2876 9,000：¥1.1948 24,000：¥1.13796 45,000：¥1.11476 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BLF278 | 974-BLF278新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 68 有库存 | 1：¥1,220.8884 10：¥1,175.5324 25：¥1,119.7944 50：¥1,107.278 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT23H160-25SR3 | 841-AFT23H160-25SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥696.2204 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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