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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF8VP13350GNR3 | 841-MRF8VP13350GNR3 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 700-1300 MHz, 350 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,460.2428 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 |
| AGR18090EF | 974-AGR18090EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-1.88GHz 90Watt Gain 14dB | 无库存 | 1：¥741.3444 5：¥680.2936 10：¥610.5196 25：¥540.7456 50：¥488.418 100：¥470.9716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PD84010-E | 511-PD84010-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power tran LdmoST N-chann | 数据表 | 无库存 | 1：¥124.99 10：¥114.9792 25：¥110.20 100：¥97.0804 250：¥92.3012 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA180701EV4R250XTMA1 | 726-PTFA180701EV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 OTHERS | 数据表 | 无库存 | 250：¥362.5232 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLF2425M9L30U | 771-BLF2425M9L30U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥505.5512 5：¥496.306 10：¥483.488 25：¥474.0108 100：¥439.2688 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTRA094808NFV1R5XUMA1 | 726-PTRA094808NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥683.1008 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BLA6G1011L-200RG,1 | 771-BLA6G1011L200RG1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,078.4184 5：¥2,028.434 10：¥1,978.0088 25：¥1,950.3196 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH40090PP | 941-CGH40090PP新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt | 数据表 | 28 有库存 | 1：¥2,408.102 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
| ARF465BG | 494-ARF465BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 30 有库存 | 1：¥347.2808 2：¥337.792 5：¥328.4656 10：¥319.058 25：¥296.5424 50：¥289.3272 100：¥276.4396 250：¥252.6248 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | 2729GN-270 | 494-2729GN-270新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥4,401.7244 | 最低： 5 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | BFR 93A E6327 | 726-BFR93AE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 15548 有库存 | 1：¥2.8768 10：¥2.1808 100：¥1.1832 1,000：¥0.8874 3,000：¥0.7656 9,000：¥0.7134 24,000：¥0.66004 48,000：¥0.62988 99,000：¥0.60668 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55008-E | 511-PD55008-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS | 数据表 | 74 有库存 | 1：¥119.074 10：¥109.4344 25：¥104.8872 50：¥99.2728 100：¥92.452 250：¥87.4408 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 193W H6327 | 726-BFP193WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 6815 有库存 | 1：¥3.2596 10：¥2.7608 100：¥1.682 1,000：¥1.2992 3,000：¥1.1078 9,000：¥1.03124 24,000：¥0.97788 45,000：¥0.93264 99,000：¥0.90248 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB183404FV2R250XTMA1 | 726-PTFB183404FV2R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥996.4748 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | HFA3102BZ | 968-HFA3102BZ新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL OPAMP 2X LONGTAIL NPN PAIR 14 | 数据表 | 无库存 | 1：¥41.7832 10：¥35.496 100：¥30.7864 250：¥29.1972 500：¥26.2392 1,000：¥22.1444 2,500：¥21.0076 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH2729-130M | 937-PH2729-130M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥3,131.4664 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| ASMA101 | 974-ASMA101新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 50 Ohm | 无库存 | 1：¥386.7904 10：¥354.9368 25：¥318.536 50：¥282.1236 100：¥235.7932 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF6VP11KHR5 | 841-MRF6VP11KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230 | 数据表 | 106 有库存 | 1：¥2,032.2272 5：¥1,986.9524 10：¥1,946.306 25：¥1,917.5612 50：¥1,847.938 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF1510 | 494-ARF1510新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥1,509.3108 2：¥1,472.9796 5：¥1,451.4384 10：¥1,430.8832 25：¥1,411.3256 50：¥1,314.5468 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | HFA3134IHZ96 | 968-HFA3134IHZ96新产品 | Renesas / Intersil | 射频(RF)双极晶体管 W/ANNEAL TXARRAY 2X NPN MATCHED INDE | 数据表 | 无库存 | 1：¥47.0264 10：¥39.9736 100：¥34.6608 250：¥32.8396 500：¥29.4988 1,000：¥24.8704 3,000：¥23.664 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1109WR,115 | 771-BF1109WR-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3408 100：¥2.0416 1,000：¥1.5776 3,000：¥1.3456 9,000：¥1.2528 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.16 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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