24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | T1G3000532-SM | 772-T1G3000532-SM 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3.5GHz PAE 64.7% P3dB 5.7W @3GHz 32V | 数据表 | 55 有库存 | 1：¥515.7128 25：¥492.9652 100：¥401.9516 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | SD1015-06 | 974-SD1015-06新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 1 有库存 | 1：¥741.3444 10：¥680.2936 25：¥610.5196 50：¥540.7456 100：¥488.418 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | 3SK293(TE85L,F) | 757-3SK293TE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V | 数据表 | 2732 有库存 | 1：¥4.0948 10：¥2.726 100：¥1.5196 1,000：¥1.1078 3,000：¥0.95584 9,000：¥0.89436 24,000：¥0.81896 45,000：¥0.7888 99,000：¥0.75864 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZ318N50 | 747-IXZ318N50新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ318N50 18A 500V N Channel ZMOS Switch MOSFET | 数据表 | 55 有库存 | 1：¥426.4508 5：¥410.524 10：¥401.3484 25：¥376.3272 50：¥363.8804 100：¥358.7996 250：¥335.3676 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU550AVL | 771-BFU550AVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.3548 100：¥1.0092 1,000：¥0.77372 2,500：¥0.5916 10,000：¥0.52316 25,000：¥0.493 50,000：¥0.43964 100,000：¥0.42456 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLP35M805Z | 771-BLP35M805Z新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLP35M805/HVSON16/REEL 7" Q1/T | 无库存 | 1：¥177.0856 5：¥175.2644 10：¥163.3628 25：¥156.0084 100：¥139.4668 250：¥133.0288 500：¥126.6488 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | T2G4003532-FS | 772-T2G4003532-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥1,368.7768 25：¥1,235.2956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 1014-6A | 494-1014-6A新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 L-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,192.1436 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF6VP121KHR5 | 841-MRF6VP121KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,397.5484 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MT3S20TU(TE85L) | 757-MT3S20TUTE85L新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Freq VHF/UHF 80mA 900mW 12V | 数据表 | 3406 有库存 | 1：¥3.4916 10：¥2.2852 100：¥1.276 1,000：¥0.93264 3,000：¥0.80388 9,000：¥0.75052 24,000：¥0.6902 45,000：¥0.667 99,000：¥0.63684 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | NSVF6003SB6T1G | 863-NSVF6003SB6T1G新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 BIP NPN 0.15A 12V FT=7G | 数据表 | 2790 有库存 | 1：¥4.8488 10：¥4.002 100：¥2.5752 1,000：¥2.0648 3,000：¥1.74 9,000：¥1.682 24,000：¥1.6124 45,000：¥1.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD84006-E | 511-PD84006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 400 有库存 | 1：¥114.5152 10：¥105.27 25：¥100.9432 100：¥88.8908 250：¥84.564 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAD214218FVV1R2XTMA1 | 726-PXAD214218FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10E | 数据表 | 无库存 | 250：¥901.668 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF5943 | 974-MRF5943新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 444 有库存 | 1：¥34.1272 10：¥28.4432 25：¥25.636 50：¥22.7476 100：¥20.474 200：¥15.9268 500：¥14.4884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | CGH60008D-GP4 | 941-CGH60008D新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt | 数据表 | 240 有库存 | 10：¥179.1388 | 最低： 10 倍数： 10 | 详细信息 |
 | BLT81,115 | 771-BLT81115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN 6-7.5V 500mA UHF | 数据表 | 1323 有库存 | 1：¥18.4324 10：¥15.6948 100：¥12.5164 500：¥10.9968 1,000：¥9.106 2,000：¥8.4912 5,000：¥8.1896 10,000：¥7.888 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MAPRST1214-150UF | 937-MAPRST1214-150UF新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 150W Gain: 7.4dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥3,454.1668 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFP 620F H7764 | 726-BFP620FH7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 10227 有库存 | 1：¥4.176 10：¥3.4104 100：¥2.0764 1,000：¥1.6124 3,000：¥1.3688 9,000：¥1.276 24,000：¥1.2064 45,000：¥1.1832 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRFE8VP8600HR5 | 841-MRFE8VP8600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,347.8388 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L140,118 | 771-BLF2425M7L140118新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.45GHz 65V 17.5dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥862.3904 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
| MHT1001HR5 | 841-MHT1001HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4GHZ HV6 40W | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,373.6256 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRFX1K80H-128MHZ | 771-MRFX1K80H-128MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3500W pulse - 2 up - 128MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | T2G4003532-FL | 772-T2G4003532-FL新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN | 数据表 | 36 有库存 | 1：¥1,558.5296 25：¥1,406.5464 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF466BG | 494-ARF466BG新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 15 有库存 | 1：¥367.9056 2：¥357.8948 5：¥347.9536 10：¥338.024 25：¥314.128 50：¥306.472 100：¥292.8188 250：¥267.6468 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
