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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NSVMMBTH10LT1G | 863-NSVMMBTH10LT1G 新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 SS VHF XSTR SPCL TR | 数据表 | 5935 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.4012 100：¥1.2992 1,000：¥0.97788 3,000：¥0.84216 9,000：¥0.7888 24,000：¥0.72848 45,000：¥0.69716 99,000：¥0.667 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
| PTFB213208FVV2R2XTMA1 | 726-PTFB213208FVV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥996.3936 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BLV21 | 974-BLV21新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFU520VL | 771-BFU520VL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.6912 100：¥1.4616 1,000：¥1.09156 2,500：¥0.94076 10,000：¥0.87928 25,000：¥0.812 50,000：¥0.78068 100,000：¥0.75052 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGH35240F | 941-CGH35240F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 3.1-3.5GHz, 240 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PTFB213004FV2R250XTMA1 | 726-PTFB213004FV2R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥853.818 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| MMRF1304LR5 | 841-MMRF1304LR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-2000MHz 25W 50V | 数据表 | 无库存 | 1：¥586.554 5：¥569.4092 10：¥557.206 25：¥533.8436 100：¥494.7052 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| BLC9G20LS-240PVY | 771-BLC9G20LS-240PVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥794.8088 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | 2SC5086-O,LF | 757-2SC5086-OLF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 Radio-Frequency Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.0532 100：¥1.14492 1,000：¥0.83404 3,000：¥0.72036 9,000：¥0.67512 24,000：¥0.62176 45,000：¥0.59972 99,000：¥0.57652 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD54003-E | 511-PD54003-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER transistor LDMOST family N-Chan | 数据表 | 无库存 | 400：¥59.3804 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | MRF150MP | 937-MRF150MP新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Matched pair Transistors | 数据表 | 32 有库存 | 1：¥793.6024 10：¥770.3096 25：¥746.8776 50：¥723.5964 100：¥700.234 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| TCS800 | 494-TCS800新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 25：¥4,422.4304 | 最低： 25 倍数： 1 | ||
 | PD57070S-E | 511-PD57070S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 400：¥389.2148 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
 | MS1001 | 974-MS1001新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BLF184XRS | 771-BLF184XRS新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,044.2552 5：¥1,023.70 10：¥976.0008 25：¥955.5152 100：¥907.7348 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BLF1721M8LS200U | 771-BLF1721M8LS200U新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 无库存 | 60：¥1,882.216 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 | |
| PXAC261002FCV1R0XTMA1 | 726-PXAC261002FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥563.122 100：¥521.942 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PTVA082407NFV1R5XUMA1 | 726-PTVA082407NFV1R5新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 500：¥389.3656 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BF909AWR,115 | 771-BF909AWR115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0948 10：¥3.3756 100：¥2.0532 1,000：¥1.5892 3,000：¥1.3572 9,000：¥1.2644 24,000：¥1.1948 45,000：¥1.1716 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD2931-12W | 511-SD2931-12W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥537.3352 5：¥527.4752 10：¥513.822 25：¥503.73 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | DRF1200 | 494-DRF1200新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 9 有库存 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | BFP 196 E6327 | 726-BFP196E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 12787 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.1228 100：¥0.97788 1,000：¥0.75052 3,000：¥0.63684 9,000：¥0.58348 24,000：¥0.54636 48,000：¥0.493 99,000：¥0.4698 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| A2T18S160W31GSR3 | 841-A2T18S160W31GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥763.57 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
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