图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | ![]() |
供货情况 | 单价(含17%增值税) | 数量 | RoHS |
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![]() | TPV8100B | 974-TPV8100B![]() 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 5 有库存 | 1:¥1,531.0724 10:¥1,404.9456 25:¥1,260.8504 50:¥1,116.7552 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MMRF1020-04GNR3 | 841-MMRF1020-04GNR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V | 数据表 | 无库存 | 250:¥1,666.2936 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | AFT09S200W02SR3 | 841-AFT09S200W02SR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 716-960 MHz, 41 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250:¥641.8396 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF8S9120NR3 | 841-MRF8S9120NR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2 | 数据表 | 146 有库存 | 1:¥405.2228 5:¥393.4604 10:¥385.0388 25:¥368.8104 100:¥341.8172 250:¥327.0272 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRFE6VP61K25GNR6 | 841-MRFE6VP61K25GNR6![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V | 数据表 | 无库存 | 150:¥1,374.1592 | 最低: 150 倍数: 150 | ![]() 详细信息 |
![]() | CGHV96050F1 | 941-CGHV96050F1![]() 新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ![]() 详细信息 | |
0910-150M | 494-0910-150M![]() 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 10:¥2,493.3388 | 最低: 10 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | BF510,215 | 771-BF510215![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS | 数据表 | 11780 有库存 | 1:¥6.2988 10:¥5.1736 100:¥3.3408 1,000:¥2.668 3,000:¥2.262 9,000:¥2.1808 24,000:¥2.088 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | MRF24301HR5 | 771-MRF24301HR5![]() 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 32V LDMOS 300 W CW 2400-2500 MHz | 无库存 | 1:¥1,530.852 5:¥1,496.6436 10:¥1,466.0776 25:¥1,444.3856 50:¥1,391.9768 | 最低: 1 倍数: 1 | ||
![]() | ARF461BG | 494-ARF461BG![]() 新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 4 有库存 | 1:¥332.6416 2:¥323.6168 5:¥314.6616 10:¥305.6368 25:¥284.0956 50:¥277.124 100:¥264.8396 250:¥242.0108 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | TGF3020-SM | 772-TGF3020-SM![]() 新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN | 数据表 | 无库存 | 1:¥341.2836 25:¥303.3632 100:¥265.4428 250:¥242.6952 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | A2T21S260-12SR3 | 841-A2T21S260-12SR3![]() 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 2110-2170 MHz, 65 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250:¥1,154.8264 | 最低: 250 倍数: 250 | ![]() 详细信息 |
![]() | 375-501N30A-00 | 747-375-501N30A-00![]() 新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30A 500V N Channel MOSFET | 数据表 | 25 有库存 | 1:¥160.7064 5:¥155.9272 10:¥146.1484 25:¥135.1516 50:¥132.4952 100:¥124.2244 250:¥113.0768 500:¥105.9544 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | IXZR16N60 | 747-IXZR16N60![]() 新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZR16N60 16A 600V N Channel ZMOS Switch MOSFET ISO Plus 247 | 数据表 | 30 有库存 | 1:¥247.312 5:¥239.888 10:¥224.866 25:¥207.9532 50:¥203.9396 100:¥191.1216 250:¥173.9768 500:¥162.98 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | NESG3032M14-EVNF24 | 551-NESG3032M14-EVNF![]() 新产品 | CEL | 射频(RF)双极晶体管 Silicon Germanium Amp and Oscillator | 数据表 | 无库存 | 1:¥1,042.8168 | 最低: 1 倍数: 1 | |
![]() | QPD2793 | 772-QPD2793![]() 新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V | 数据表 | 无库存 | 500:¥623.4072 | 最低: 500 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低: 0 倍数: 0 | ||
PD54008S-E | 511-PD54008S-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 271 有库存 | 1:¥119.1436 10:¥109.5156 25:¥104.9684 100:¥92.5216 250:¥87.9744 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 | |
![]() | MRF455 | 937-MRF455![]() 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB | 数据表 | 16 有库存 | 1:¥343.1744 10:¥330.5884 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFP 183W H6327 | 726-BFP183WH6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 11972 有库存 | 1:¥3.4104 10:¥2.4012 100:¥1.1078 1,000:¥0.84912 3,000:¥0.72848 9,000:¥0.66004 24,000:¥0.62176 48,000:¥0.55332 99,000:¥0.53128 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | SD3933 | 511-SD3933![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1:¥1,067.5364 5:¥1,046.5984 10:¥997.832 25:¥976.8244 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | 150-501N04A-00 | 747-150-501N04A-00![]() 新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-150 500V 4A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 28 有库存 | 1:¥175.3456 5:¥170.114 10:¥159.4188 25:¥147.5056 50:¥144.6288 100:¥135.5228 250:¥123.3892 500:¥115.5824 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | BFR 193W H6327 | 726-BFR193WH6327![]() 新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 1295 有库存 | 1:¥2.958 10:¥2.0532 100:¥0.94772 1,000:¥0.72848 3,000:¥0.62176 9,000:¥0.5684 24,000:¥0.53128 48,000:¥0.47792 99,000:¥0.45472 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |
![]() | PD55025TR-E | 511-PD55025TR-E![]() 新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel | 数据表 | 无库存 | 1:¥217.21 5:¥215.006 10:¥200.3668 25:¥191.342 100:¥171.10 250:¥163.212 600:¥155.3936 | 最低: 1 倍数: 1 | ![]() 详细信息 |