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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PTFB192503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB192503FLV2R0 新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 50：¥757.5282 100：¥705.3579 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | BLW85 | 974-BLW85新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥550.7658 10：¥458.9676 25：¥413.0685 50：¥367.1694 100：¥330.4548 200：¥257.0256 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 2SK3078A(TE12L,F) | 757-2SK3078ATE12LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 0.5 3W 10V VDSS | 数据表 | 976 有库存 | 1：¥11.3958 10：¥9.1845 100：¥7.0317 500：¥6.201 1,000：¥4.8906 2,000：¥4.3641 10,000：¥4.212 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1317HR5 | 841-MMRF1317HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V | 数据表 | 无库存 | 1：¥6,092.7984 5：¥6,045.0624 10：¥5,998.0167 25：¥5,869.7379 50：¥5,731.8183 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFR 740L3RH E6327 | 726-BFR740L3RHE6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor | 数据表 | 10665 有库存 | 1：¥6.2712 10：¥5.1831 100：¥3.3462 1,000：¥2.6793 2,500：¥2.2581 10,000：¥2.1762 15,000：¥2.0943 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T07D160W04SR3 | 841-A2T07D160W04SR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 710-960 MHz, 160 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥759.0609 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | 3SK294(TE85L,F) | 757-3SK294TE85LF新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF High Freq VHF/UHF SMQ 4-Pin N-Ch 0.1 | 数据表 | 2837 有库存 | 1：¥3.8259 10：¥2.5506 100：¥1.4274 1,000：¥1.03311 3,000：¥0.89505 9,000：¥0.83421 24,000：¥0.76518 45,000：¥0.73476 99,000：¥0.71136 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR340L3E6327XTMA1 | 726-BFR340L3E6327XTM新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥2.8314 10：¥2.106 100：¥1.14777 1,000：¥0.86463 2,500：¥0.74178 10,000：¥0.69615 15,000：¥0.63531 45,000：¥0.61191 90,000：¥0.58851 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD3933 | 511-SD3933新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,076.7393 5：¥1,055.6208 10：¥1,006.434 25：¥985.2453 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC260622SCV1R250XTMA1 | 726-AC260622SCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥447.642 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BXY42TPN1SA1 | 726-BXY42TPN1SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF1517NT1 | 841-MRF1517NT1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N | 数据表 | 1886 有库存 | 1：¥76.6467 10：¥70.2936 25：¥63.8703 100：¥57.447 250：¥52.7085 500：¥47.8881 1,000：¥43.1379 2,000：¥42.0732 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MMBT2907A-HF | 750-MMBT2907A-HF新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.744 10：¥2.0709 100：¥0.98631 1,000：¥0.68094 3,000：¥0.52065 9,000：¥0.45864 24,000：¥0.43641 45,000：¥0.38259 99,000：¥0.36738 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | VRF2933 | 494-VRF2933新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 18 有库存 | 1：¥856.7442 2：¥830.115 5：¥829.8927 10：¥803.1114 25：¥772.8201 50：¥762.4188 100：¥698.3964 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFR 340F H6327 | 726-BFR340FH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3943 有库存 | 1：¥3.3696 10：¥2.3517 100：¥1.08576 1,000：¥0.83421 3,000：¥0.71136 9,000：¥0.65052 24,000：¥0.60489 48,000：¥0.54288 99,000：¥0.52065 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P29300HR6 | 841-MRF8P29300HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230 | 数据表 | 无库存 | 150：¥2,785.3254 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | MRF6VP21KHR5 | 841-MRF6VP21KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 225MHZ 1000W NI1230 | 数据表 | 无库存 | 1：¥6,851.3913 5：¥6,777.7983 10：¥6,704.9073 25：¥6,547.32 50：¥6,547.32 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFV141KHSR5 | 841-AFV141KHSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHz, 1000 W PEAK, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,787.7921 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MRF4427R1 | 974-MRF4427新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.6884 25：¥25.7751 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MAAM-009455-TR3000 | 937-MAAM-009455T3新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 50-1000MHz Gain 20dB NF=5.5dB | 数据表 | 无库存 | 3,000：¥49.5729 | 最低： 3000 倍数： 3000 | 详细信息 |
 | FH2164 | 937-FH2164新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥651.1167 5：¥586.0296 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | AFV141KHR5 | 841-AFV141KHR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 960-1215 MHz, 1000 W PEAK, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,787.7921 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | STAC4933 | 511-STAC4933新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Trans N-Ch 50V 100MHz FET | 数据表 | 45 有库存 | 1：¥844.506 5：¥829.0503 10：¥791.7156 25：¥765.3321 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB090901EAV2R0XTMA1 | 726-PTFB090901EAV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥334.1286 100：¥302.8428 250：¥292.3596 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
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