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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PH3134-55L | 937-PH3134-55L 新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 10：¥2,305.9408 | 最低： 10 倍数： 1 | |
 | BFS19,215 | 771-BFS19215新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 TRANS MED FREQ | 数据表 | 4674 有库存 | 1：¥2.958 10：¥2.204 100：¥1.1948 1,000：¥0.89436 3,000：¥0.77372 9,000：¥0.72036 24,000：¥0.66004 45,000：¥0.63684 99,000：¥0.6148 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BF 2040 E6814 | 726-BF2040E6814新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V | 数据表 | 2194 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.4012 100：¥1.09968 1,000：¥0.84912 3,000：¥0.72036 9,000：¥0.66004 24,000：¥0.6148 48,000：¥0.55332 99,000：¥0.53128 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7L250P,118 | 771-BLF2425M7L250P1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 12dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,277.7632 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MRF240A | 974-MRF240A新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥500.5516 10：¥417.1244 25：¥375.4108 50：¥333.6972 100：¥300.324 200：¥233.5892 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF5300NR5 | 841-MMRF5300NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2700-3500 MHz, 60 W PEAK, 50V WIDEBAND RF POWER GaN TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,622.4572 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| DU1215S | 937-DU1215S新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 13 有库存 | 1：¥355.8416 5：¥320.276 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| CGH27015F | 941-CGH27015F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT VHF-3.0GHz, 15 Watt | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥525.2016 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MT3S111P(TE12L,F) | 757-MT3S111PTE12LF新产品 | Toshiba | 射频(RF)双极晶体管 RF Bipolar Transistor .1A 1W | 数据表 | 无库存 | 1：¥6.8208 10：¥5.4172 100：¥4.1644 500：¥3.6772 1,000：¥2.90 2,000：¥2.5752 10,000：¥2.4824 25,000：¥2.4012 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV50200F | 941-CGHV50200F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | VRF151 | 494-VRF151新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 7 有库存 | 1：¥417.5768 2：¥406.2088 5：¥394.98 10：¥383.6816 25：¥356.6072 50：¥347.884 100：¥332.4096 250：¥303.746 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFX1K80H-88MHZ | 771-MRFX1K80H-88MHZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1800W - 87.5-108MHz | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥9,920.3548 5：¥9,813.7972 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC241702FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC241702FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥499.3336 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | AFV10700HSR5 | 771-AFV10700HSR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz | 数据表 | 43 有库存 | 1：¥2,672.176 5：¥2,511.168 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFR 380L3 E6327 | 726-BFR380L3E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 11950 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.1112 100：¥0.97092 1,000：¥0.75052 2,500：¥0.63684 10,000：¥0.58348 15,000：¥0.54636 45,000：¥0.48488 90,000：¥0.4698 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MAGX-000040-0050TP | 937-MAGX-0040-50TP新产品 | MACOM | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4 GHz Gain 13.5dB GaN SiC | 数据表 | 无库存 | 500：¥194.532 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-180AVZ | 771-BLC8G27LS-180AVZ新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 60：¥741.1124 120：¥690.0724 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
 | MRF392 | 937-MRF392新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 100-400MHz 125Watts 28Volt Gain 10dB | 数据表 | 无库存 | 1：¥738.9896 10：¥692.81 25：¥676.57 50：¥660.4228 100：¥623.4884 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| AFT18S260W31GSR3 | 841-AFT18S260W31GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1995 MHz, 50 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥900.9836 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | TGF2023-2-10 | 772-TGF2023-2-10新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| PTFB182503FLV2R0XTMA1 | 726-PTFB182503FLV2R新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥751.0536 100：¥699.3292 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| BLC2425M8LS300PY | 771-BLC2425M8LS300PY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,192.5264 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | MMRF1314HR5 | 841-MMRF1314HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1200-1400 MHz, 1000 W Peak, 52 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,746.8708 | 最低： 50 倍数： 50 | |
| PTFC210202FCV1R250XTMA1 | 726-PTFC210202FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥315.4272 | 最低： 250 倍数： 250 |
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