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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IHW30N120R3 | 726-IHW30N120R3 新产品 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | 数据表 | 无库存 | 1：¥35.7164 10：¥30.4152 100：¥26.3204 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | IHW20N120R3 | 726-IHW20N120R3新产品 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body | 数据表 | 159 有库存 | 1：¥27.608 10：¥23.5132 100：¥20.3232 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IKW50N65F5FKSA1 | 726-IKW50N65F5FKSA1新产品 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS | 数据表 | 316 有库存 | 1：¥32.306 10：¥27.4572 100：¥23.8148 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IGB20N60H3 | 726-IGB20N60H3新产品 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 600v Hi-Speed SW IGBT | 数据表 | 779 有库存 | 1：¥17.0636 10：¥14.558 100：¥11.60 500：¥10.1616 1,000：¥8.4216 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IRG4PSH71UDPBF | 942-IRG4PSH71UDPBF新产品 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 1200V UltraFast 4-20kHz | 数据表 | 108 有库存 | 1：¥120.6632 10：¥110.954 25：¥106.4068 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXGT45N120 | 747-IXGT45N120新产品 | IXYS | IGBT 晶体管 75 Amps 1200V 3.5 Rds | 数据表 | 无库存 | 30：¥58.6264 120：¥50.9704 270：¥48.6156 510：¥44.37 1,020：¥38.6048 | 最低： 30 倍数： 30 | 详细信息 |
 | STGF19NC60KD | 511-STGF19NC60KD新产品 | STMicroelectronics | IGBT 晶体管 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT | 数据表 | 1134 有库存 | 1：¥16.53 10：¥14.036 100：¥11.2288 500：¥9.86 1,000：¥8.1896 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STGWT40H65DFB | 511-STGWT40H65DFB新产品 | STMicroelectronics | IGBT 晶体管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT | 数据表 | 418 有库存 | 1：¥30.7168 10：¥26.1696 100：¥22.678 250：¥21.5412 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STGF3NC120HD | 511-STGF3NC120HD新产品 | STMicroelectronics | IGBT 晶体管 N-Ch 1200 Volt 3 Amp | 数据表 | 378 有库存 | 1：¥12.818 10：¥10.9156 100：¥8.7232 500：¥7.656 1,000：¥6.322 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | APT30GP60LDLG | 494-APT30GP60LDLG新产品 | Microsemi | IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | 数据表 | 无库存 | 1：¥86.4548 10：¥77.8128 25：¥70.8296 50：¥65.9808 100：¥63.9392 250：¥58.3248 500：¥53.244 1,000：¥45.0544 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | STGWT20H60DF | 511-STGWT20H60DF新产品 | STMicroelectronics | IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop | 数据表 | 600 有库存 | 1：¥23.8844 10：¥20.3232 100：¥17.6668 250：¥16.762 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| APT30GS60BRDQ2G | 494-APT30GS60BRDQ2G新产品 | Microsemi | IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi | 数据表 | 23 有库存 | 1：¥61.2016 10：¥55.0652 25：¥50.2048 100：¥45.2748 250：¥41.3308 500：¥37.6884 1,000：¥32.9092 2,500：¥30.2644 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IKD06N60RATMA1 | 726-IKD06N60RATMA1新产品 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 IGBT w/ INTG DIODE 600V 12A | 数据表 | 2500 有库存 | 1：¥9.86 10：¥8.4216 100：¥6.438 500：¥5.684 1,000：¥4.4892 2,500：¥3.9788 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| APT13GP120BG | 494-APT13GP120BG新产品 | Microsemi | IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single | 数据表 | 81 有库存 | 1：¥58.5452 10：¥52.7104 25：¥48.0124 100：¥43.3028 250：¥39.5096 500：¥36.0992 1,000：¥31.4708 2,500：¥28.8956 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| APT30GP60BDQ1G | 494-APT30GP60BDQ1G新产品 | Microsemi | IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi | 数据表 | 无库存 | 1：¥82.6616 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| APT20GT60BRDQ1G | 494-APT20GT60BRDQ1G新产品 | Microsemi | IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Med Frequency Combi | 数据表 | 56 有库存 | 1：¥54.984 10：¥49.4508 25：¥45.0544 100：¥40.6464 250：¥37.0852 500：¥33.8952 1,000：¥29.58 2,500：¥27.1556 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | FSAM50SM60A | 512-FSAM50SM60A新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | IGBT 晶体管 600V -50A SMART POWER MODULE | 数据表 | 无库存 | 1：¥452.69 5：¥442.5284 10：¥425.2444 25：¥411.5912 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IRGS6B60KTRLPBF | 942-IRGS6B60KTRLPBF新产品 | Infineon Technologies | IGBT 晶体管 600V 7AD2PAK | 数据表 | 741 有库存 | 1：¥14.036 10：¥11.9828 100：¥9.5584 500：¥8.4216 800：¥6.9136 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXBH9N160G | 747-IXBH9N160G新产品 | IXYS | IGBT 晶体管 9 Amps 1600V | 数据表 | 307 有库存 | 1：¥61.2016 10：¥55.2856 25：¥52.7104 100：¥45.8084 250：¥43.7552 500：¥39.8924 1,000：¥34.7304 2,500：¥33.4428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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