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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMRF1007HR5 | 841-MMRF1007HR5 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥4,743.6597 | 最低： 50 倍数： 50 |  详细信息 |
 | MRF4427 | 974-MRF4427B新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥34.4214 10：¥28.6884 25：¥25.7751 50：¥22.9437 100：¥20.6505 200：¥16.0641 500：¥14.6133 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2120 | 772-TGF2120新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz | 数据表 | 无库存 | 100：¥111.6765 300：¥104.4108 500：¥97.5312 1,000：¥91.5642 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | PTFB211501EV1R250XTMA1 | 726-PTFB211501EV1R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥493.4709 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFS17PE6327HTSA1 | 726-BFS17PE6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.1356 10：¥2.3517 100：¥0.88686 1,000：¥0.68094 3,000：¥0.52065 9,000：¥0.45864 24,000：¥0.43641 48,000：¥0.38259 99,000：¥0.36738 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLV57 | 974-BLV57新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 5 有库存 | 1：¥1,284.192 10：¥1,178.4006 25：¥1,057.5396 50：¥936.6786 100：¥846.027 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1320GNR1 | 841-MMRF1320GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥255.5631 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BXY43T1SAMB4SA1 | 726-BXY43T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | MRF8S18210WHSR3 | 841-MRF8S18210WHSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 1.8GHZ 55W | 数据表 | 无库存 | 250：¥771.147 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRF148A | 937-MRF148A新产品 | MACOM | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB | 数据表 | 191 有库存 | 1：¥290.3004 10：¥279.279 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFS 17W H6327 | 726-BFS17WH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 14348 有库存 | 1：¥3.2175 10：¥2.0709 100：¥0.88686 1,000：¥0.68094 3,000：¥0.52065 9,000：¥0.45864 24,000：¥0.43641 48,000：¥0.38259 99,000：¥0.36738 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AT-31011-BLKG | 630-AT-31011-BLKG新产品 | Broadcom / Avago | 射频(RF)双极晶体管 Transistor Si Low Current | 数据表 | 无库存 | 1：¥3.978 10：¥3.4281 100：¥2.2581 1,000：¥1.6614 2,500：¥1.4391 10,000：¥1.3104 25,000：¥1.2519 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BAS40T1SAMB4SA1 | 726-BAS40T1SAMB4SA1新产品 | Infineon Technologies | PIN 二极管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
 | BLV25 | 974-BLV25新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 1 有库存 | 1：¥1,219.1751 10：¥1,118.7306 25：¥1,003.9887 50：¥889.2468 100：¥803.1933 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFB211503FLV2R250XTMA1 | 726-PTFB211503FLV2R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 250：¥511.9803 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MRFE6VP5600HR6 | 841-MRFE6VP5600HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,425.0951 5：¥1,393.353 10：¥1,364.8167 25：¥1,344.7044 50：¥1,295.8218 100：¥1,266.6771 150：¥1,266.6771 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P9040GNR1 | 841-MRF8P9040GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 900MHZ 40W TO270WB4G | 数据表 | 无库存 | 500：¥132.3387 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BFP620H7764XTSA1 | 726-BFP620H7764XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5290 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.5451 100：¥2.1528 1,000：¥1.6731 3,000：¥1.4274 9,000：¥1.3221 24,000：¥1.2519 45,000：¥1.2285 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MS1512 | 494-MS1512新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 75：¥420.5682 100：¥410.7051 | 最低： 75 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF861B,215 | 771-BF861B-T/R新产品 | NXP Semiconductors | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 JFET N-CH 25V 10MA | 数据表 | 8203 有库存 | 1：¥4.2822 10：¥3.5568 100：¥2.2932 1,000：¥1.8369 3,000：¥1.8369 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | A2T18S162W31GSR3 | 841-A2T18S162W31GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor 1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥765.3321 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | MMRF1015GNR1 | 841-MMRF1015GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥109.161 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | 15GN01CA-TB-E | 863-15GN01CA-TB-E新产品 | ON Semiconductor | 射频(RF)双极晶体管 LOW-SATURATION VOLTAGE | 数据表 | 5940 有库存 | 1：¥2.9016 10：¥1.8486 100：¥0.7956 1,000：¥0.61191 3,000：¥0.46683 9,000：¥0.41301 24,000：¥0.38961 45,000：¥0.34398 99,000：¥0.32877 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXAC243502FVV1XWSA1 | 726-PXAC243502FVV1X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 35：¥1,041.7797 | 最低： 35 倍数： 35 |
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