24小时服务热线
021-31300595
| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLC8G27LS-180AVY | 771-BLC8G27LS-180AVY 新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power LDMOS trans | 数据表 | 无库存 | 100：¥696.0213 | 最低： 100 倍数： 100 |  详细信息 |
 | PD85035STR-E | 511-PD85035STR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 无库存 | 1：¥253.0476 5：¥250.4385 10：¥233.3799 25：¥222.9084 100：¥199.3446 250：¥190.1601 600：¥180.9873 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | AFV10700HR5 | 771-AFV10700HR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W 1030-1090MHz | 数据表 | 28 有库存 | 1：¥2,695.212 5：¥2,532.816 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLA6H0912-500,112 | 771-BLA6H0912-50011新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TRANS RADAR PWR LDMOS | 数据表 | 无库存 | 20：¥3,833.5284 | 最低： 20 倍数： 20 | 详细信息 |
 | BFY650B11SAMB4SA1 | 726-BFY650B11SAMB4SA新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | TGF2023-2-02 | 772-TGF2023-2-02新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB | 数据表 | 500 有库存 | 100：¥290.4525 300：¥273.0078 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | TGF2954 | 772-TGF2954新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 27W 32V GaN P3dB @ 3GHz 44.5dBm | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | MMRF1004NR1 | 841-MMRF1004NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V | 数据表 | 500 有库存 | 1：¥228.7233 5：¥218.6262 10：¥210.9744 25：¥184.1229 100：¥180.1449 250：¥172.6452 500：¥158.8041 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 740ESD H6327 | 726-BFP740ESDH6327XT新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 5596 有库存 | 1：¥3.978 10：¥3.276 100：¥2.0007 1,000：¥1.5444 3,000：¥1.3221 9,000：¥1.2285 24,000：¥1.17 45,000：¥1.13958 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV14800F | 941-CGHV14800F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt | 数据表 | 42 有库存 | 1：¥6,905.4687 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MZ0912B100Y | 974-MZ0912B100Y新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 无库存 | 1：¥4,795.2918 2：¥4,400.3466 5：¥3,949.0308 10：¥3,497.715 25：¥3,159.2223 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | PTVA042502ECV1R0XTMA1 | 726-PTVA042502ECV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,061.5878 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF426 | 937-MRF426新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 1.5-30MHz 25Watts 28Volt Gain 22dB | 数据表 | 31 有库存 | 1：¥269.1117 10：¥248.9175 25：¥238.8204 50：¥228.7233 100：¥212.5773 250：¥195.0624 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRF8P29300HSR6 | 841-MRF8P29300HSR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 300W 50V NI1230S | 数据表 | 无库存 | 150：¥2,785.3254 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | PXFC191507FCV1XWSA1 | 726-PXFC191507FCV1XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
 | PTVA043502FCV1R2XTMA1 | 726-PTVA043502FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 250：¥965.367 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PXAC241702FCV1R250XTMA1 | 726-PXAC241702FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥503.6382 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PD55008-E | 511-PD55008-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS | 数据表 | 74 有库存 | 1：¥120.1005 10：¥110.3778 25：¥105.7914 50：¥100.1286 100：¥93.249 250：¥88.1946 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMRF1318NR1 | 841-MMRF1318NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Broadband RF Power LDMOS Transistor 10-600 MHz, 300 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥608.2128 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | PXFC211507SCV1R250XTMA1 | 726-FC211507SCV1R250新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
.JPG) | PD84006L-E | 511-PD84006L-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF power trans LDmoST plastic | 数据表 | 无库存 | 1：¥69.381 10：¥62.7237 25：¥59.8221 100：¥51.9363 250：¥49.5729 500：¥45.2088 1,000：¥39.3939 3,000：¥37.9431 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MMBT2907A-G | 750-MMBT2907A-G新产品 | Comchip Technology | 射频(RF)双极晶体管 VCEO=60V IC=600mA | 数据表 | 5658 有库存 | 1：¥1.8369 10：¥1.1934 100：¥0.54288 1,000：¥0.34398 3,000：¥0.25974 9,000：¥0.2223 24,000：¥0.20709 45,000：¥0.1989 99,000：¥0.16848 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PXFC191507FCV1R250XTMA1 | 726-PXFC191507FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥462.9456 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | PTFC210202FCV1R250XTMA1 | 726-PTFC210202FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥318.1464 | 最低： 250 倍数： 250 |
版权所有 Copyright(C)2009-2018 上海樊伊电子科技有限公司 沪ICP备16047676号
