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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF151G | 974-MRF151G 新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥1,298.0168 10：¥1,256.454 25：¥1,214.9724 50：¥981.8356 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
| MZ0912B50Y | 974-MZ0912B50Y新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 960-1215MHz Gain 7dB NPN | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,659.126 2：¥2,440.176 5：¥2,189.906 10：¥1,939.6244 25：¥1,751.9248 50：¥1,689.3544 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1023HSR5 | 841-MMRF1023HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,240.91 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PXAC213308FVV1R2XTMA1 | 726-PXAC213308FVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥806.0376 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| CFY2520PESZZZA1 | 726-CFY2520PESZZZA1新产品 | Infineon Technologies | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 HIREL | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | |||
| PXFC192207FHV3XWSA1 | 726-PXFC192207FHV3XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| BFQ790H6327XTSA1 | 726-BFQ790H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS | 数据表 | 无库存 | 10,000：¥6.6352 | 最低： 10000 倍数： 1000 | |
| BFP720H6327XTSA1 | 726-BFP720H6327XTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5855 有库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.306 100：¥2.0184 1,000：¥1.566 3,000：¥1.334 9,000：¥1.2412 24,000：¥1.1716 45,000：¥1.14492 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLC8G20LS-400AVY | 771-BLC8G20LS-400AVY新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 ACP Pad for base station | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,022.1804 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BFT25,215 | 771-BFT25215新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSS | 数据表 | 1639 有库存 | 1：¥4.3964 10：¥3.6424 100：¥2.2272 1,000：¥1.7168 3,000：¥1.4616 9,000：¥1.3688 24,000：¥1.2876 45,000：¥1.2644 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| BFY740B01PB4SA1 | 726-BFY740B01PB4SA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 HIREL | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| LET9070FB | 511-LET9070FB新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 70W 28V HF to 2GHz LDMOS TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 50：¥549.8516 100：¥512.0008 | 最低： 50 倍数： 50 | |
 | MRFE6VS25LR5 | 841-MRFE6VS25LR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V NI360L | 数据表 | 376 有库存 | 1：¥510.0288 5：¥495.1692 10：¥484.5436 25：¥464.2204 50：¥464.2204 100：¥430.1744 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD55035S-E | 511-PD55035S-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 400：¥188.5348 | 最低： 400 倍数： 400 | 详细信息 |
| AFT18S230-12NR3 | 841-AFT18S230-12NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1805--1880 MHz, 50 W AVG., 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥836.5224 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| MRF10120 | 937-MRF10120新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 20 有库存 | 1：¥1,327.214 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | MRF6V3090NBR1 | 841-MRF6V3090NBR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 860MHz 90W TO 272WB4 | 数据表 | 无库存 | 500：¥445.4168 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | 275-101N30A-00 | 747-275-101N30A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275-101N30A-00 100V 30A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 35 有库存 | 1：¥324.0692 5：¥312.6896 10：¥302.9804 25：¥280.2328 50：¥271.44 100：¥262.7168 250：¥250.502 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MMRF1320GNR1 | 841-MMRF1320GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSISTORS, 1.8--600 MHz, 150 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥253.3788 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
 | BFU760F,115 | 771-BFU760F115新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS | 数据表 | 64209 有库存 | 1：¥3.3408 10：¥2.7608 100：¥1.682 1,000：¥1.2992 3,000：¥1.1078 9,000：¥1.03124 24,000：¥0.97788 45,000：¥0.95584 99,000：¥0.91756 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | J211-D74Z | 512-J211_D74Z新产品 | ON Semiconductor / Fairchild | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor | 数据表 | 5901 有库存 | 1：¥3.712 10：¥2.5752 100：¥1.1832 1,000：¥0.9106 2,000：¥0.77372 10,000：¥0.70528 24,000：¥0.66004 50,000：¥0.5916 100,000：¥0.5684 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF6VP3450HSR5 | 841-MRF6VP3450HSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 450W 860MHZ NI1230S | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,286.2544 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| BFR 360L3 E6765 | 726-BFR360L3E6765新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF Transistor | 数据表 | 16883 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.4708 100：¥1.13796 1,000：¥0.87232 2,500：¥0.74356 10,000：¥0.68208 15,000：¥0.63684 45,000：¥0.5684 90,000：¥0.54636 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| MRF448 | 974-MRF448新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥854.572 10：¥826.0592 25：¥797.616 50：¥769.1032 100：¥738.0036 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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