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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 0910-60M | 494-0910-60M 新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 P-Band/Bipolar Radar Transistor | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,657.0032 2：¥2,593.0756 5：¥2,555.074 10：¥2,518.9052 25：¥2,484.3952 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | BFS 17S H6327 | 726-BFS17SH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 3345 有库存 | 1：¥3.7932 10：¥2.842 100：¥1.5428 1,000：¥1.15304 3,000：¥0.99296 9,000：¥0.93264 24,000：¥0.85724 48,000：¥0.82708 99,000：¥0.7888 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF2425M7LS250P:11 | 771-BLF2425M7LS250P1新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.4-2.5GHz 65V 13dB | 数据表 | 无库存 | 100：¥1,277.7632 | 最低： 100 倍数： 100 | 详细信息 |
 | BFR 182 E6327 | 726-BFR182E6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 9690 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.4824 100：¥1.14492 1,000：¥0.87928 3,000：¥0.75052 9,000：¥0.68208 24,000：¥0.63684 48,000：¥0.57652 99,000：¥0.55332 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85015-E | 511-PD85015-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans | 数据表 | 288 有库存 | 1：¥154.8716 5：¥153.2708 10：¥142.8888 25：¥136.4392 100：¥122.032 250：¥116.4176 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | ARF477FL | 494-ARF477FL新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) | 数据表 | 8 有库存 | 1：¥741.7272 2：¥718.7476 5：¥718.5156 10：¥695.3852 25：¥669.146 50：¥660.1212 100：¥604.6732 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | SD2931-12MR | 511-SD2931-12MR新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W-50V MoistResist HF/VHF DMOS TRANSIST | 数据表 | 无库存 | 50：¥534.6788 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | MRF6VP3091NR5 | 841-MRF6VP3091NR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 50V 4.5W | 数据表 | 无库存 | 1：¥826.8944 5：¥810.8168 10：¥784.044 25：¥750.9028 50：¥740.5904 100：¥688.7848 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTFA091201F V4 R250 | 726-PTFA091201FV4R25新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | CGHV59350F | 941-CGHV59350F新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
| BF771E6327HTSA1 | 726-BF771E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW | 数据表 | 8950 有库存 | 1：¥3.6424 10：¥2.552 100：¥1.1716 1,000：¥0.90248 3,000：¥0.7656 9,000：¥0.69716 24,000：¥0.65192 48,000：¥0.58348 99,000：¥0.56144 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFB193404FV1R0XTMA1 | 726-PTFB193404FV1R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,095.8288 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| MRF4427R2 | 494-MRF4427R2新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 RF NPN Transistor | 无库存 | 2,500：¥10.092 5,000：¥9.7092 | 最低： 2500 倍数： 1 | 详细信息 | |
| AFV121KHSR5 | 841-AFV121KHSR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V | 数据表 | 无库存 | 50：¥3,863.4032 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| PXAC203302FVV1R0XTMA1 | 726-PXAC203302FVV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥987.45 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | ATF-52189-TR1 | 630-ATF-52189-TR1新产品 | Broadcom / Avago | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs High Linearity | 数据表 | 无库存 | 1：¥41.18 10：¥35.0436 100：¥30.334 250：¥28.8144 500：¥25.8564 1,000：¥21.7616 3,000：¥20.706 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BFP 183 E7764 | 726-BFP183E7764新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR | 数据表 | 12154 有库存 | 1：¥3.4916 10：¥2.61 100：¥0.986 1,000：¥0.75864 3,000：¥0.57652 9,000：¥0.50808 24,000：¥0.47792 45,000：¥0.42456 99,000：¥0.40948 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | CGHV27030S | 941-CGHV27030S新产品 | Wolfspeed / Cree | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt | 数据表 | 318 有库存 | 1：¥387.5444 250：¥387.5444 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| SD2933 | 974-SD2933新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 无库存 | 1：¥906.2964 10：¥850.4076 25：¥841.4524 50：¥827.5788 100：¥819.6096 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
| MRFE6VP6600NR3 | 841-MRFE6VP6600NR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥711.08 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
 | BFU530XAR | 771-BFU530XAR新产品 | NXP Semiconductors | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 2544 有库存 | 1：¥3.1088 10：¥2.5752 100：¥1.5892 1,000：¥1.218 3,000：¥1.0614 9,000：¥0.986 24,000：¥0.9106 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BF1205C,115 | 771-BF1205C115新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 数据表 | 无库存 | 3,000：¥2.1576 9,000：¥2.0764 24,000：¥1.9952 45,000：¥1.9604 | 最低： 3000 倍数： 3000 | 详细信息 |
 | BLC8G27LS-160AVU | 771-BLC8G27LS-160AVU新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BLC8G27LS-160AV/DFM6F/STANDARD | 数据表 | 无库存 | 60：¥722.0768 120：¥672.4056 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
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