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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF8P20165WHR3 | 841-MRF8P20165WHR3 新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780-4 | 数据表 | 无库存 | 250：¥801.4092 | 最低： 250 倍数： 250 |  详细信息 |
 | 275X2-501N16A-00 | 747-275X2-501N16A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DE-275X2 500V 16A N Channel MOSFET Transistor | 数据表 | 26 有库存 | 1：¥219.7852 5：¥213.266 10：¥199.8448 25：¥184.8228 50：¥181.2616 100：¥169.882 250：¥154.6396 500：¥144.9304 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | TGF2956 | 772-TGF2956新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 55W 32V GaN P3dB @ 3GHz 47.6dBm | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PTFB213004FV2R0XTMA1 | 726-PTFB213004FV2R0X新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥966.2104 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | QPD0030 | 772-QPD0030新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-4GHz 45W GaN 48V | 数据表 | 249 有库存 | 1：¥274.92 25：¥230.3992 100：¥207.35 250：¥192.0264 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PXAC182002FCV2R2XTMA1 | 726-PXAC182002FCV2R2新产品 | Infineon / IR | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥512.3024 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| AFT26P100-4WGSR3 | 841-AFT26P100-4WGSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2496-2690 MHz 22 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥627.8848 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| AFT21S140W02GSR3 | 841-AFT21S140W02GSR3新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2110-2170 MHz 32 W Avg. 28 V | 数据表 | 无库存 | 250：¥1,000.1172 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| PTAB182002TCV1R250XTMA1 | 726-PTAB182002TCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS 9 | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | ||
| PD84010TR-E | 511-PD84010TR-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR LDMOS Trans 10W 14.3 dB 870MHz | 数据表 | 无库存 | 600：¥86.3852 | 最低： 600 倍数： 600 | |
 | BF 888 H6327 | 726-BF888H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 无库存 | 1：¥4.0252 10：¥3.2712 100：¥1.9952 1,000：¥1.5428 3,000：¥1.3224 9,000：¥1.2296 24,000：¥1.16 45,000：¥1.13796 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| TGF3021-SM | 772-TGF3021-SM新产品 | Qorvo | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans | 数据表 | 17 有库存 | 1：¥1,033.2584 25：¥893.6292 100：¥772.8964 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTFA091503ELV4XWSA1 | 726-PTFA091503ELV4XW新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | ||
| PTFB072707FHV1R0XTMA1 | 726-PTFB072707FHV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥804.9008 100：¥764.6256 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| AFT21S230SR5 | 841-AFT21S230SR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ 230W NI780S-6 | 数据表 | 无库存 | 50：¥776.0748 100：¥721.7752 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
 | BFR 93AW H6327 | 726-BFR93AWH6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 14798 有库存 | 1：¥2.8768 10：¥2.1808 100：¥1.1832 1,000：¥0.8874 3,000：¥0.7656 9,000：¥0.72036 24,000：¥0.66004 48,000：¥0.63684 99,000：¥0.60668 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | IXZ210N50L2 | 747-IXZ210N50L2新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 IXZ210N50L2 10A 500V N Channel ZMOS Linear MOSFET | 数据表 | 无库存 | 1：¥177.4684 5：¥172.1556 10：¥161.3908 25：¥149.2572 50：¥146.3688 100：¥137.1932 250：¥124.8392 500：¥117.0208 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFX1K80NR5 | 771-MRFX1K80NR5新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz | 50 有库存 | 1：¥2,151.1504 5：¥2,103.138 10：¥2,060.1368 25：¥2,029.7216 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
| PTVA047002EVV1R250XTMA1 | 726-PTVA047002EVV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LDH1V | 无库存 | 250：¥1,914.1508 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 | |
 | IXZR08N120A-00 | 747-IXZR08N120A-00新产品 | IXYS | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1200V 8A RF MOSFET, with ISOPLUS-247A package | 数据表 | 45 有库存 | 1：¥234.494 5：¥227.4412 10：¥213.1848 25：¥197.1884 50：¥193.314 100：¥181.1804 250：¥164.952 500：¥154.5584 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| TPR175 | 494-TPR175新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 无库存 | 1：¥988.7376 2：¥969.2496 5：¥936.932 10：¥920.1004 25：¥901.0648 50：¥859.2004 100：¥831.9752 | 最低： 1 倍数： 1 | ||
 | MRFE6VP5600HR5 | 841-MRFE6VP5600HR5新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H | 数据表 | 74 有库存 | 1：¥1,412.9148 5：¥1,381.444 10：¥1,353.1516 25：¥1,333.2112 50：¥1,284.7464 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | 0912-45 | 494-0912-45新产品 | Microsemi | 射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor | 数据表 | 无库存 | 50：¥1,104.1692 | 最低： 50 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLF178P,112 | 771-BLF178P112新产品 | NXP Semiconductors | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR 1200W LDMOS | 数据表 | 无库存 | 60：¥1,485.8672 | 最低： 60 倍数： 60 | 详细信息 |
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