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| 图像 | 樊伊零件编号 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 |  |
供货情况 | 单价（含17%增值税） | 数量 | RoHS |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SK4037(TE12L,Q) | 757-2SK4037TE12LQ 新产品 | Toshiba | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS | 数据表 | 936 有库存 | 1：¥36.0992 10：¥29.0464 100：¥26.4712 250：¥23.8844 500：¥21.46 1,000：¥18.0496 2,000：¥17.2144 5,000：¥16.53 | 最低： 1 倍数： 1 |  详细信息 |
 | MRF8P8300HR6 | 841-MRF8P8300HR6新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8-800 28V NI1230H | 数据表 | 无库存 | 150：¥1,059.718 | 最低： 150 倍数： 150 | 详细信息 |
 | 0405SC-2200M | 494-0405SC-2200M新产品 | Microsemi | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor | 数据表 | 无库存 | 5：¥17,090.5004 | 最低： 5 倍数： 5 | 详细信息 |
 | TGF2819-FS | 772-TGF2819-FS新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz | 数据表 | 无库存 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 | |
 | PD55003-E | 511-PD55003-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS | 数据表 | 566 有库存 | 1：¥95.2592 10：¥87.5916 25：¥83.9608 100：¥73.95 250：¥70.3076 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PTVA120251EAV2R0XTMA1 | 726-PTVA120251EAV2R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥464.1508 100：¥430.1744 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| BF2040WH6814XTSA1 | 726-BF2040WH6814XTSA新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFETS | 数据表 | 5940 有库存 | 1：¥3.5612 10：¥2.2968 100：¥0.986 1,000：¥0.75864 3,000：¥0.57652 9,000：¥0.5162 24,000：¥0.47792 48,000：¥0.42456 99,000：¥0.40948 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | QPD2796 | 772-QPD2796新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V | 数据表 | 无库存 | 250：¥640.2504 | 最低： 250 倍数： 250 | 详细信息 |
| AGR09070EF | 974-AGR09070EF新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 70Watt Gain @ P1dB 18.25dB | 无库存 | 1：¥515.7128 5：¥473.2452 10：¥424.7108 25：¥376.1648 50：¥339.764 100：¥327.6304 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | SD2942 | 974-SD2942新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor | 34 有库存 | 1：¥1,047.5844 10：¥961.2804 25：¥862.692 50：¥764.092 100：¥690.1536 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 | |
 | MRF1000MB | 974-MRF1000MB新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 4 有库存 | 1：¥591.5536 10：¥492.9652 25：¥443.6652 50：¥394.3768 100：¥354.9368 200：¥276.0568 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BLX15 | 974-BLX15新产品 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频(RF)双极晶体管 RF Transistor | 数据表 | 10 有库存 | 1：¥725.2668 10：¥665.5036 25：¥597.2492 50：¥528.9948 100：¥477.7924 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | PD85006-E | 511-PD85006-E新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Transistor LdmoST N-ch Plastic | 数据表 | 无库存 | ：请求报价 | 最低： 0 倍数： 0 | 详细信息 |
 | BFP 420 H6801 | 726-BFP420H6801新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 5455 有库存 | 1：¥3.19 10：¥2.6216 100：¥1.5892 1,000：¥1.2412 3,000：¥1.05444 9,000：¥0.97788 24,000：¥0.93264 48,000：¥0.9106 99,000：¥0.87232 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PTAC210802FCV1R250XTMA1 | 726-PTAC210802FCV1R2新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RFP-LD10M | 数据表 | 无库存 | 250：¥377.8352 | 最低： 250 倍数： 250 | |
 | QPD1025L | 772-QPD1025L新产品 | Qorvo | 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V | 数据表 | 18 有库存 | 1：¥6,090.0116 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | MRFE6S9060NR1 | 841-MRFE6S9060NR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET | 数据表 | 804 有库存 | 1：¥353.7188 5：¥335.82 10：¥330.0548 25：¥299.1872 100：¥286.6012 250：¥264.8396 500：¥255.20 | 最低： 1 倍数： 1 | |
 | BFU530AVL | 771-BFU530AVL新产品 | Nexperia | 射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor | 数据表 | 9810 有库存 | 1：¥3.0392 10：¥2.4592 100：¥1.508 1,000：¥1.1716 2,500：¥0.99296 10,000：¥0.92568 25,000：¥0.87928 50,000：¥0.85724 100,000：¥0.82708 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
 | BGR 420 H6327 | 726-BGR420H6327新产品 | Infineon Technologies | 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR | 数据表 | 2970 有库存 | 1：¥5.0112 10：¥4.0948 100：¥2.494 1,000：¥1.9372 3,000：¥1.6472 9,000：¥1.5312 24,000：¥1.4616 45,000：¥1.4152 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| SD2933W | 511-SD2933W新产品 | STMicroelectronics | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz | 数据表 | 无库存 | 1：¥942.9292 5：¥924.4272 10：¥881.3448 25：¥862.8428 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
| PH3135-65M | 937-PH3135-65M新产品 | MACOM | 射频(RF)双极晶体管 | 数据表 | 无库存 | 1：¥2,620.0688 | 最低： 1 倍数： 1 | |
| MHT2000GNR1 | 841-MHT2000GNR1新产品 | NXP / Freescale | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 2450 MHz 25 W CW 28 V | 数据表 | 无库存 | 500：¥308.7456 | 最低： 500 倍数： 500 | 详细信息 |
| PTAC240502FCV1R0XTMA1 | 726-PTAC240502FCV1R0新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | 数据表 | 无库存 | 50：¥483.488 100：¥448.0732 | 最低： 50 倍数： 50 | 详细信息 |
| BF998E6327HTSA1 | 726-BF998E6327HTSA1新产品 | Infineon Technologies | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA | 数据表 | 9438 有库存 | 1：¥3.4104 10：¥2.5984 100：¥1.4152 1,000：¥1.05444 3,000：¥0.9106 9,000：¥0.84912 24,000：¥0.78068 48,000：¥0.75052 99,000：¥0.72036 | 最低： 1 倍数： 1 | 详细信息 |
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