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TH58BYG2S3HBAI4

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樊伊零件编号:
TH58BYG2S3HBAI4
制造商零件编号:
757-TH58BYG2S3HBAI4
制造商:
说明:
NAND闪存 4Gb 1.8V IC Flash NAND & BENAND EEPROM
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
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规格

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Toshiba Memory
存储器IC
 
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 详细信息
 
5KP
Bidirectional
Axial
62.7 V
51 V
82.4 V
61.9 A
P600
5 kW
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
Cut Tape
Reel
Littelfuse
 
TVS Diodes
 
800
 
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
 
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