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TH58BYG2S3HBAI4

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樊伊零件编号:
TH58BYG2S3HBAI4
制造商零件编号:
757-TH58BYG2S3HBAI4
制造商:
说明:
NAND闪存 4Gb 1.8V IC Flash NAND & BENAND EEPROM
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
0

规格

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Toshiba Memory
存储器IC
 
SMD/SMT
TFBGA-63
4 Gbit
Parallel
512 M x 8
8 bit
- 40 C
+ 85 C
Tray
NAND
 
NAND Flash
 
Toshiba Memory
 
NAND Flash
 
210
 
Memory & Data Storage
 
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