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TH58BYG2S3HBAI6

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樊伊零件编号:
TH58BYG2S3HBAI6
制造商零件编号:
757-TH58BYG2S3HBAI6
制造商:
说明:
NAND闪存 1.8V, 4 Gbit CMOS NAND EEPROM
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
0

规格

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Toshiba Memory
存储器IC
 
SMD/SMT
BGA-63
4 Gbit
Parallel
512 M x 8
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
NAND
 
NAND Flash
 
Toshiba Memory
 
NAND Flash
 
338
 
Memory & Data Storage
 
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