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TH58BYG3S0HBAI6

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樊伊零件编号:
TH58BYG3S0HBAI6
制造商零件编号:
757-TH58BYG3S0HBAI6
制造商:
说明:
NAND闪存 8 GBIT CMOS NAND EEPROM
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
0

规格

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Toshiba Memory
存储器IC
 
SMD/SMT
FBGA-67
8 Gbit
Parallel
1 G x 8
Synchronous
8 bit
1.7 V
1.95 V
30 mA
- 40 C
+ 85 C
Tray
NAND
 
NAND Flash
 
25 ns
 
Toshiba Memory
 
NAND Flash
 
338
 
Memory & Data Storage
 
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