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AGR21030EF

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樊伊零件编号:
AGR21030EF
制造商零件编号:
974-AGR21030EF
说明:
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz 7Watt Gain 14.5dB
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
0

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Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
 
Si
Tray
Advanced Semiconductor, Inc.
 
10
 
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