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APT10M11JVRU3

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请参阅产品规格

樊伊零件编号：

APT10M11JVRU3

制造商零件编号：

494-APT10M11JVRU3

制造商:

说明：

分立半导体模块 Power Module - Mosfet

寿命周期:

新产品: 此制造商的新产品。

数据表品。

规格

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产品属性

属性值

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制造商:

Microsemi

产品种类:

分立半导体模块

RoHS:

产品

Power MOSFET Modules

Vgs - 栅极-源极电压

30 V

安装风格

Screw

封装 / 箱体

SOT-227-4

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

封装

Tube

配置

Single

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm

商标

Microsemi

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

下降时间

9 ns

Id-连续漏极电流

142 A

Pd-功率耗散

450 W

Rds On-漏源导通电阻

11 mOhms

上升时间

48 ns

工厂包装数量

1

商标名

POWER MOS V, ISOTOP

典型关闭延迟时间

51 ns

典型接通延迟时间

16 ns

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs th-栅源极阈值电压

2 V

单位重量

30 g

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实时供货

库存：

98 可立即发货

工厂交货期：

44 周

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