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APT100M50J

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请参阅产品规格

樊伊零件编号：

APT100M50J

制造商零件编号：

494-APT100M50J

制造商:

说明：

分立半导体模块 Power MOSFET - MOS8

寿命周期:

新产品: 此制造商的新产品。

数据表品。

规格

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属性值

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制造商:

Microsemi

产品种类:

分立半导体模块

RoHS:

产品

Power MOSFET Modules

Vgs - 栅极-源极电压

30 V

安装风格

Screw

封装 / 箱体

SOT-227-4

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

配置

Single

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm

商标

Microsemi

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

下降时间

90 ns

Id-连续漏极电流

103 A

Pd-功率耗散

960 W

Rds On-漏源导通电阻

28 mOhms

上升时间

125 ns

工厂包装数量

1

商标名

POWER MOS 8, ISOTOP

典型关闭延迟时间

280 ns

典型接通延迟时间

105 ns

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs th-栅源极阈值电压

3 V

单位重量

30 g

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库存：

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3 周

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10：¥315.081

25：¥292.8159

50：¥285.6321

100：¥272.9376

250：¥249.444

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