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APT45GP120B2DQ2G

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樊伊零件编号:
APT45GP120B2DQ2G
制造商零件编号:
494-APT45GP120B2DQ2G
制造商:
说明:
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
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规格

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Microsemi
IGBT 晶体管
 
Si
T-Max-3
Through Hole
Single
1.2 kV
3.3 V
30 V
113 A
625 W
- 55 C
+ 150 C
Tube
113 A
 
5.31 mm
 
21.46 mm
 
- 55 C to + 150 C
 
16.26 mm
 
Microsemi
 
113 A
 
100 nA
 
IGBT Transistors
 
1
 
IGBTs
 
POWER MOS 7 IGBT
 
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