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APT46GA90JD40
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请参阅产品规格
樊伊零件编号:
APT46GA90JD40
制造商零件编号:
494-APT46GA90JD40
制造商:
Microsemi
说明:
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
寿命周期:
新产品:
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数据表品。
0
规格
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产品属性
属性值
搜索类似
制造商:
Microsemi
产品种类:
IGBT 模块
RoHS:
详细信息
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
900 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
87 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
Pd-功率耗散
284 W
封装 / 箱体
SOT-227-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
高度
9.6 mm
长度
38.2 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
25.4 mm
商标
Microsemi
安装风格
Screw
栅极/发射极最大电压
+/- 30 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 8, ISOTOP
单位重量
30 g
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