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APT75GP120J

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樊伊零件编号:
APT75GP120J
制造商零件编号:
494-APT75GP120J
制造商:
说明:
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
寿命周期:
新产品: 此制造商的新产品。
0

规格

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Microsemi
IGBT 模块
 
IGBT Silicon Modules
1.2 kV
3.3 V
128 A
100 nA
543 W
SOT-227-4
- 55 C
+ 150 C
Bulk
9.6 mm
 
38.2 mm
 
- 55 C to + 150 C
 
25.4 mm
 
Microsemi
 
Screw
 
+/- 20 V
 
IGBT Modules
 
1
 
IGBTs
 
POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
 
30 g
 
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